MOS管耐压性能检测

检测项目

击穿电压（V(BR)DSS）、漏源导通电阻（RDS(on)）、栅极漏电流（IGSS）、阈值电压（VGS(th)）、跨导（gfs）、反向恢复时间（trr）、雪崩能量耐受（EAS）、热阻（RθJC）、开关损耗（Eoss）、体二极管正向压降（VSD）、动态dv/dt耐受能力、静态dv/dt耐受能力、栅电荷（Qg）、输出电容（Coss）、反向传输电容（Crss）、输入电容（Ciss）、高温反偏（HTRB）寿命、温度循环（TC）可靠性、湿度敏感等级（MSL）、静电放电（ESD）等级、短路耐受时间（SCWT）、栅氧化层完整性（GOI）、封装气密性测试、焊接热应力测试、振动疲劳强度、盐雾腐蚀试验、绝缘耐压强度、寄生电感参数、脉冲电流承载能力、长期偏置稳定性

检测范围

N沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET、超结结构CoolMOS™、碳化硅(SiC)MOSFET、氮化镓(GaN)HEMT器件、TO-220封装功率管、DFN5x6贴片器件、SOT-23微型封装管、汽车级AEC-Q101认证器件、工业级IPM模块内置管、服务器电源同步整流管、光伏逆变器升压模块管、电动汽车OBC主开关管、无线充电线圈驱动管、LED驱动恒流控制管、电机控制器H桥模块管、DC-DC转换器同步降压管、UPS不间断电源逆变管、高频感应加热谐振管、航天级抗辐射加固器件、医疗设备隔离驱动管、智能电表计量模块管、快充适配器PWM控制管、储能系统BMS保护开关管、轨道交通IGBT辅助开关管、射频功放匹配电路管、服务器冗余电源ORing管、工业机器人伺服驱动管

检测方法

1.**高电压测试法**：采用可编程高压源与皮安表联用系统，以0.1V/s斜率逐步提升D-S极间电压至额定值的120%，实时监测漏电流突变点判定击穿阈值2.**脉冲功率测试法**：通过脉冲发生器施加μs级高压脉冲序列，结合红外热像仪同步监测芯片结温分布特性3.**雪崩能量量化法**：使用电感储能电路产生可控雪崩能量冲击，利用高速示波器记录电压电流积分计算EAS值4.**动态参数分析法**：基于双脉冲测试平台构建半桥电路拓扑，采用差分探头测量开关瞬态波形并提取Qg/Coss非线性曲线5.**HTRB加速老化法**：在150℃高温环境下施加80%额定VDS电压持续1000小时，统计参数漂移量评估长期可靠性6.**扫描电镜观测法**：对失效样品进行开封处理并利用SEM/EDS分析栅极氧化层缺陷与金属迁移现象

检测标准

IEC60747-8:2010《半导体分立器件第8部分：场效应晶体管》JEDECJESD24-10《功率MOSFET雪崩能量测试指南》AEC-Q101Rev-D《汽车级分立半导体器件应力测试认证》MIL-STD-750F《半导体器件试验方法》方法3475击穿电压测试GB/T4587-2010《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》JESD22-A108F《温度循环试验标准》IPC-9701A《表面贴装器件机械应变测试规范》IEC60068-2-6《环境试验第2-6部分：振动试验》JEDECJEP180《功率器件热特性表征指南》UL840《绝缘配合标准的应用指南》

检测仪器

1.**KeysightB1505A功率器件分析仪**：集成2000V/100A测试单元与CV/IV测量模块的自动化平台2.**TektronixDPO7254示波器**：配备高压差分探头实现ns级开关波形捕获与分析功能3.**Chroma19032雪崩能量测试系统**：内置可调电感库与能量回收电路的专业评估设备4.**FLIRA655sc红外热像仪**：支持500Hz高速采样率的非接触式结温分布监测装置5.**Agilent4294A阻抗分析仪**：在40Hz至110MHz频率范围内精确测量Ciss/Coss/Crss参数6.**ESPECPL-3KPH气候箱**：实现-70℃~+180℃快速温变循环的可靠性试验设备7.**HiokiST5520表面电阻计**：采用四端子法测量封装引脚接触电阻的精密仪器8.**ThermoFisherScios2DualBeamFIB-SEM**：具备聚焦离子束加工能力的纳米级失效分析系统

检测服务流程

确认测试对象及项目

：根据要求确认测试对象并进行初步检查，安排样品寄送或上门采样;

制定与确认实验方案

：制定实验方案并与委托方，确认验证方案的可行性和有效性;

签署委托书与支付

：签署委托书，明确测试细节，确定测试费用并支付;

执行与监控实验测试

：严格按照实验方案执行测试，记录数据，进行必要的控制和调整;

数据分析与出具报告

：分析数据并进行归纳，撰写并审核测试报告，出具报告，并反馈结果给委托方。