检测项目

钠、铝、铁、铜、镍、铬、锌、锰、钴、钛、钒、钼、钨、银、镉、锡、铅、锑、铋、砷、汞、金、铂、钯、铑、铱、钌、镓、铟、锗、铪、钽、铌、镧系元素总量

检测范围

单晶硅片、多晶硅锭、太阳能级硅料、电子级多晶硅棒、硅外延片、抛光硅片、刻蚀硅片、扩散硅片、离子注入硅片、Czochralski单晶硅、区熔单晶硅、硅纳米线、硅基薄膜材料、硅碳复合材料、硅铝合金材料、硅溶胶制品、有机硅聚合物原料液、气相沉积硅粉体、溅射靶材用高纯硅块体材料

检测方法

1.ICP-MS法:采用四级杆质谱系统测定0.01-1000μg/kg浓度范围的金属杂质,通过动态反应池消除Ar基干扰。配置自动稀释系统实现宽线性范围覆盖。

2.ICP-OES法:适用于1-10000μg/g浓度水平的元素分析,轴向观测模式提升检出能力。采用多谱线拟合算法校正光谱干扰。

3.微波消解法:密闭容器内使用HNO3/HF混合酸体系进行样品全分解,程序升温控制至220℃保持30分钟。

4.标准加入法:针对基体复杂的回收率校正样品进行定量分析。

检测标准

GB/T24582-2021多晶硅表面金属杂质含量的测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法
GB/T37049-2018电子级多晶硅中痕量元素的测定电感耦合等离子体质谱法
ASTMF1724-2020用酸萃取-电感耦合等离子体质谱法测定多晶硅中金属杂质的标准试验方法
SEMIPV17-0613太阳能级硅材料金属杂质测试规程
ISO18114:2021表面化学分析-次级离子质谱法测定硅中杂质元素
JISH0605:2022半导体用硅单晶中杂质元素的测试方法
IEC60749-32:2020半导体器件-机械和环境试验方法-第32部分:塑封器件的易燃性(外部诱发)
GB/T40561-2021电子级高纯氢氟酸中金属杂质的测定电感耦合等离子体质谱法
YS/T1179-2017多晶硅用回收氢气中金属杂质含量的测定方法
T/CSTM00356-2021高纯二氧化硅粉体中金属元素的测定电感耦合等离子体发射光谱法

检测仪器

1.高分辨ICP-MS:配备碰撞反应池系统(CRC),质量分辨率≥3000(10%峰高),检出限达0.01ng/L级。

2.全谱直读ICP-OES:采用中阶梯光栅分光系统,波长范围165-900nm,同步采集200万像素CCD信号。

3.微波消解工作站:40位高通量转子设计,最高温度300℃,压力100bar安全控制系统。

4.百万级洁净操作台:满足ISOClass5洁净度要求,配置PTFE材质前处理工具。

5.超纯水系统:18.2MΩcm电阻率输出水质,总有机碳含量<1ppb。

6.自动进样器:XYZ三维机械臂定位精度0.1mm,支持96位样品盘连续进样。

检测服务流程

确认测试对象及项目:根据要求确认测试对象并进行初步检查,安排样品寄送或上门采样;

制定与确认实验方案:制定实验方案并与委托方,确认验证方案的可行性和有效性;

签署委托书与支付:签署委托书,明确测试细节,确定测试费用并支付;

执行与监控实验测试:严格按照实验方案执行测试,记录数据,进行必要的控制和调整;

数据分析与出具报告:分析数据并进行归纳,撰写并审核测试报告,出具报告,并反馈结果给委托方。

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