标准中涉及的相关检测项目

相关的检测项目包括：

• 尺寸测量：包括长度、宽度、高度、引线间距等关键尺寸的测量。
• 平面度检测：确保引线框架的平整度达到设计要求。
• 材质检测：检测框架材料的成分和质量是否符合要求。
• 镀层厚度：测量引线框架表面镀层的厚度，确保符合标准。
• 外观检验：检查引线框架的外观是否有缺陷，如划痕、孔洞、毛刺等。

检测方法包括：

• 使用游标卡尺、千分尺等工具进行物理测量。
• 平面度检测通常使用平板和千分表配合进行。
• 材质检测可以使用光谱分析仪或化学分析法。
• 镀层厚度通常通过电子显微镜或其他精密设备测量。
• 外观检验主要依靠目视检查或借助放大镜。

涉及的产品包括：

• 小外形封装（SOP）引线框架。
• 其他相关的集成电路封装产品。

这些检测项目和方法确保了小外形封装引线框架在生产和应用过程中能够符合特定的质量和技术标准。

GB/T 15878-1995 小外形封装引线框架规范的基本信息

标准名：小外形封装引线框架规范

标准号：GB/T 15878-1995

标准类别：国家标准(GB)

发布日期：1995-01-02

实施日期：1996-08-01

标准状态：现行

GB/T 15878-1995 小外形封装引线框架规范的简介

本规范规定了半导体集成电路小外形封装(SOP)引线框架的技术要求及检验规则。本规范适用于半导体集成电路塑料小外形封装冲制型引线框架。GB/T15878-1995小外形封装引线框架规范GB/T15878-1995

GB/T 15878-1995 小外形封装引线框架规范的部分内容

中华人民共和国国家标准

小外形封装引线框架规范

Specification of leadframes for small outline package1生题内容与适用范围

1.1主题内容

GB/T15878—1995

本规范规定了半导体集成电路小外形封装(SOP)引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。

1.2适用范围

本规范适用于半导体集成电路塑料小外形封装冲制型引线框架。2引用标准

GB7092—93半导体集成电路外形尺寸GB/14112—93半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T14113—93半导体集成电路封装术语SJ/L9007—87计数检查抽样方案和程序3 术语、符号、代号

本规范所用术语、符号和代号应按GB/T14113的规定。4技术要求

4. 1设计

引线框架的外形尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求，4.1.1精压区

最小扁平引线键含区，宽度为标称引线宽度的80%，长度为0.381mm。4.1.2精乐深度

4.1.2.1对于0.2mm厚的材料，精压深度最小为0.013mm，最人为0.051mm。4.1.2.2对于0.25mm厚的材料，精压深度最小为0.013mm，最大为0.051mm。4.1.2.3最大精压深度也可能受最小引线间距要求的限制，最小精压深度也可能受最小键合区要求的限制。

4.1-3金属间的间隔

引线框架各内引线之间，内引线与芯片粘接区之间的距离不小于0.152mm。4.2引线架形状和置公差

4.2.1引线扭曲

引线框架内引线扭曲不得超过3°30°，即每0.254mm引线宽度范围最大偏离不超过0.015mm4.2.2芯片粘接区斜度和平整度

国家技术监督局1995-12-22批准..com1996-08-01实施

GB/T15878-1995

4.2.2.1斜度在未打凹条件下，每2.54mm最大倾斜0.025mm，在打凹条件下，每2.54mt最大斜 0.051mm。

4.2.2.2平整度测试在从中心到四个拐角的中心进行，中点被规定为离每边0.127mm处，平整度0.005mm。

4.2.3芯片粘接区打凹

从芯片粘接区中心到支撑条上的一点测量时，应在标称尺寸的土0.05mm范围内。对材料厚度为0.25mm框架，标称打凹深度为0.3mm，对材料厚度为0.2mm框架，标称打凹深度为0.2mm。4.2.4引线共面性和芯片粘接区共面性4.2.4.1引线共面性引线框架内引线精压区端头共面性在十0.1mm范围内。4.2.4.2芯片粘接区平面度在中心测量时，芯片粘接区与基准平面偏离应在十0.076mm/一0.127mm范围内。

4.2.5卷曲

引线框架条带长度方向上卷曲变形小于0.5mm。4.2-6横弯

最人横弯不得超过士0.127mm。

在150mm的长度方向上，应不超过0.05mm。4.2.8框架扭曲

在每条框架上扭曲不超过0.51mm。4.3°引线框架外观

4.3.1毛刺

引线框架连筋以内垂直毛刺不超过0.02mm，连筋以外的垂直毛刺和任何位置的水平毛刺不得超过0.05mm。

4.3.2尚坑和压痕

4.3.2.1在功能区和外引线上，不应存在压痕。该区域内凹坑深度不得超过0.008rm·最大表面尺寸不得超过0.013mm。

4.3.2.2在其他区域，凹坑和其他缺陷不得影响引线框架强度，深度不得超过0.05mtml，最大表面尺寸不得超过0.13mm

4.3.3表面缺陷

无键层部位应呈金属材料本色、无锈蚀、发花等缺陷。4.4引线框架镀层

4.4. 1镀层厚度

4.4.1.1引线框架局部镀金层厚度不小十1μm。4.4.1.2引线框架局部镀银层厚度不小于3.8um4.4.2镀层外观

镀层表面应致密、平滑、色泽均句呈镀层本色，不充许有起皮、起泡、沾污、斑点、水迹、异物、发花等缺陷。应无明显污点、脱游或键层漏镀。无贯穿整个镀层的划痕。4.4.3镶层耐热性

镀层经高温试验后应无明显变色，不充许起皮、起泡、剥落、发花、斑点等缺陷。4.4.4镀层键合强度

引线框架的镀层应易干粘片健合，键合强度大于40mN。4.5引线框架外引线强度

引线框架的外引线经弯曲试验后不应出现断裂。5检验规则

GB/T15878—1995

5.1检验批的构成

“个检验批可由一个生产批或符合下述条件的儿个生产批树成。a。这些生产批是采用相同的材料.工艺、设备等制造出来的；h每个生产批的检验结果证明材料和工序的质最均能保证所生产的引线框架达到预先规定的质量水平；

c，若干生产批构成一个检验批的时间通常不超过一周，除非另有规定，最长不得超过一个月。5.2检验项目及要求

引线框架的检验项目及要求见表1,标有(D)的试验为破坏性试验，表「中所引用的试验方法系指GB/T14112附录中规定的方法。AQL抽样方案按SJ/Z9007的规定，抽样数以条为计量单位。表1

检验和试验

形位公差

镊层厚度

镀层耐热性(1)

键合度(D)

外引线强度(D)

6订货资料

试验方法

用满足测量精

度的量具测迹

附录A

X荧光测厚仪或

其他等效仪器

附录B中R1

附录B+B2

附求 B中 13

检验要求

按本规范4.3及4.4.2

按本规范4.）

按本规范4.2

按本规范4.4.1

按本规范4.4.3

按本规范4.4.4

按本规范4.5

若无其他规定，订购引线框架时至少需要以下资料：a.

产品型号、规格：

数量；

产品图纸及图号；

材料名称皮规格；

任何其他细节（适用时）。

7标志、包装、运输、贮存

7.1标志

引线框架包装盒上应有如下标志：「名或商标：

产品名称、型专、规格

产品标准编号：

数量：

生产日期」

检验批识别代码和检验员代号。[

7.2包装

为避免正常运输过程中的损坏和泄漏，产品需包装在专门设计和制造的包装箱内，包装箱应防上产品被污染和受潮。

GB/T 15878-1995

引线框架内包装应采用中性材料包装并密封，以保证产品不受沾污和腐蚀，防止物理损伤7.3运输

产品的包装应能适应任何交通工具的运输，并在运输过程中应防止雨淋，受潮和破损。7.4贮存

7.4.1引线框架产品应贮存在环境温度为10~35℃，相对湿度不大于80%，周围无腐蚀气体的库房中，

7.4.2、自出厂之目起，有镶层的引线框架保存期为三个月，无镀层引线框架保存期为六个月附加说明：

本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国集成电路标准化分技术委员会归口。本标准由厦门永红电子公司、电子工业部标准化研究所负责起草。本标准主要起草人，上官鹏、陈裕昆