标准中涉及的相关检测项目

检测项目：

• 介质损耗角正切（tanδ）的测量
• 热释电材料在特定条件下的电性能参数
• 测试环境温度和湿度影响测量的稳定性和准确性

检测方法：

• 谐振法：通过谐振频率和带宽的测量获得tanδ值。
• 阻抗法：通过测量材料在交流电下的阻抗来计算tanδ。
• 桥路法（电桥法）：借助电桥仪器测量并获得tanδ。
• 精密电流电压测量：使用现代精密设备，如LCR表，直接测量电流和电压从而计算tanδ。

涉及产品：

• 红外探测器
• 热释电传感器
• 热成像设备
• 其他需要使用热释电材料的电子设备

这些检测项目和方法为热释电材料的性能提供了标准化的评估依据，以便研发人员和质量控制人员在生产和应用中确保材料的有效性和可靠性。

GB 11297.9-1989 热释电材料介质损耗角正切tanδ的测试方法的基本信息

标准名：热释电材料介质损耗角正切tanδ的测试方法

标准号：GB 11297.9-1989

标准类别：国家标准(GB)

发布日期：1988-10-09

实施日期：1990-01-01

标准状态：现行

GB 11297.9-1989 热释电材料介质损耗角正切tanδ的测试方法的简介

本标准适用于热释电材料介质损耗角正切tanδ的测量。GB11297.9-1989热释电材料介质损耗角正切tanδ的测试方法GB11297.9-1989

GB 11297.9-1989 热释电材料介质损耗角正切tanδ的测试方法的部分内容

中华人民共和国国家标准

热释电材料介质损耗角正切

tane的测试方法

Test method for dlelectric tangent orless angle of pyroelectric material本标准迈用」热释电材料介质损耗布正切tan的测壤。1名词术语

UnC: 621.315. 592

+621. 317.3

GR11297.9-89

本标准所用名词术语符合：GB11291《红外探测材料中半导体光电材料和热电材料常用名词术语》

2测试原理

任何电介质（包括热释电材料）在交变电场作用下由于发热而产生的电能损耗称为介质损耗，衡这种损耗大小的因子是tan，称为介质摄耗角的正切值，是个无量纲物理量。它表示有功功率P九功功率的比值，

介质损耗角正切tan?的测强和计算为法有两种等效电路.图1分别表示这两种等效中路及只欠员图孵。

中华人民共和国机械电子业部1988-10~09批准1990-01-01实施

联等效电路

\并联尖量图解

GB 11297. 9--89

b.再联等效电路

d，串联大卡图解

图等效电路及失量图解

总电乐，V，1一总电流.A，C一并联等效电容.F，R-·邦联等效电阻.；I流舒并联等效电容电流，A：流经并联等效电陷的电流，A，C串联等效电容，F，R。申联等效电阻，O：U.一巾联等效中容的电儿，VU一中联等效电脏的电正,V，9-有损耗电容器的电流与电压的相使，占一质损效前一-出图1可见，并联损耗角正切可表示为：tandn

串联损耗角正切可表示为：

式中：tu-—-外加交流电压的角癫率,s-EUe

由式(2)和式<3)可见.tane值本仅直接与测试频率有关.而且因为Cp，C、R：，Rs足中场强度、中场额率，择品所承学的压力和温度的函数（同的还与其他条件有关），因此在测量tan代时，对上述有关条件点做出明确规定，

批外，还应考虑测造线和样品卖具所产生的电容C.的影响，与样品电容C成并联状态，根据式2)或式3)，可求出tan与实测值（ran)之间的关系式：an (ana)ak

式中（为样品的真实电容，它与实际测定的电容有如下关：C=C, --Cu

因此式(4)可改写为：

tand -- {tsn)(1 +

利用电容损耗电桥首先测定C·然磨测出样品（利（ta）即报据式（6）计算山样品介质损耗角正切tang

3测试亲件

3.1测试环境

GB 11297.9-89

测试应在恒温条件下进行，恒温精度土1℃，样品周围的湿度应低丁60%，气压为正常火气压。3.2测试样品

试样应为薄片状，两个大面镀电极。厚度方向应平行十热释电轴，充许偏差土2°。4测试仪器和设备

4.1测试仪器

测量tan值的仪器可选用各类电容损耗测量仪，损耗值可以直接读出。损耗的测最精度应不低于5%。

4.2测试频率和电压

测试赖率规定为1kHz士5%，测试电乐折算成加在样品上的场强度，一般应低十5Vcm4.3试样屏敏盒和样品火

测试样品必须装在屏敲盒内进行测录。屏蔽盒可用铜或其合金等制成。样品爽可用具有弹性的金属制成，对样品的压力要小。

5测试方法

5.1样品处理

5.1.1首先用洒精或乙醚等将样品未镀电极的部分清洗下净，然后将两电极短路，在燥空气中静置4 h L

5.1.2对具有铁电性的热释电材料，必须加直流电场进行单畴化（极化）处理，然后将样品两电披面短路，在室温下静资24h后才能进行损耗测量。5.2测步骤

5.2.1将样品类分开，问距与样品厚度相当，接好引线，用电容电桥测虚电容，所测值即内C5.2.2将样品用样品夹夹好，放入屏蔽盒内。然后用屏蔽电缆将样品两电极接入测最仪器。即可进行介质损耗的测量T作。

5.2.3如需测量高下或低于空温的介质损耗，可将样品盒放入适当形式的加热器或致拎器中，待温度达到预定温度并恒温15min后可进行测量。所测值即为（tana)。5.2.4在测量(tang）的同时应测出样品的电容C-。5.3tan值的计算

将测出的 C,、C和(tane)代人式(6),即可计算出样品分质损耗角正切的其实值 tam测量误差

本方法测基误差小于5%。

附加说明：

本标准由山东大学晶体材料研究所起草。本标准起草人士民。

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