标准中涉及的相关检测项目

根据标准《SJ 20636-1997 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法》,该标准主要涉及的内容如下:

检测项目:
  • 硅片中的氧含量
  • 硅片中的碳含量
检测方法:

该标准中提到的检测方法主要包括以下几种:

  • 傅里叶变换红外光谱法(FTIR)
  • 二次离子质谱法(SIMS)
  • 其他可行的微区分析技术
涉及产品:

此标准涉及的产品主要是大直径薄硅片,用于集成电路(IC)的制造中。这些硅片被广泛应用于半导体行业,用以保证IC产品的质量和效果。

通过这些检测项目和方法,能够有效地保证产品的纯净度和品质,确保硅片在IC制造过程中的稳定性和可靠性。

SJ 20636-1997 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法的基本信息

标准名:IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法

标准号:SJ 20636-1997

标准类别:电子行业标准(SJ)

发布日期:1997-06-17

实施日期:1997-10-01

标准状态:现行

SJ 20636-1997 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法的简介

SJ 20636-1997 IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法的部分内容

现行

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