标准中涉及的相关检测项目

标准《SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则》主要涉及到的检测项目包括半导体材料中的各种杂质含量。这些杂质可能会影响半导体材料的性能,因此精确的分析和监控是必不可少的。

检测项目通常包括以下几个方面:

  • 杂质元素的种类与含量,如氧、氢、碳等。
  • 其他微量元素或化合物的浓度。
  • 材料的光谱特性分析。

检测方法主要是基于红外吸收光谱分析。它通过测量材料对特定波长红外光的吸收程度来确定杂质的种类和含量。这种方法具有以下特点:

  • 灵敏度高,能够检测到微量杂质。
  • 非破坏性,样品可以继续进行后续加工或测试。
  • 操作相对简单,结果分辨率高。

涉及产品则主要为各种类型的半导体材料,这其中包括但不限于:

  • 硅材料,如单晶硅和多晶硅。
  • 化合物半导体材料,如砷化镓、氮化镓等。
  • 其他新型半导体材料。

这些材料被广泛应用于电子、光电、通讯等高科技产业,因此其性能的可靠性和稳定性至关重要,这也使得对杂质含量的精确检测成为行业的关键环节之一。

SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则的基本信息

标准名:半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则

标准号:SJ 20744-1999

标准类别:电子行业标准(SJ)

发布日期:1999-11-10

实施日期:1999-12-01

标准状态:现行

SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则的简介

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现行

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