标准中涉及的相关检测项目

《GB/T 15651.2-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性》主要涉及光电子器件的各项检测项目、检测方法及涉及的产品类型。以下是该标准中可能提到的相关内容：

• 基准电压和电流
• 功耗
• 光敏响应度
• 性能特性（如增益、频率响应等）
• 环境耐受性（如温度、湿度等）

通常情况下，标准会涉及多种检测方法，以确保光电子器件在不同条件下的性能表现。检测方法可能包括：

• 电性能测试：使用专业设备测量器件的电参数，如电阻、电容等。
• 光学性能测试：使用光学设备测量响应度、波长范围等光学参数。
• 环境测试：在控制的温湿度条件下进行长期运行测试，评估环境耐受性。
• 热性能测试：测试器件在不同温度条件下的稳定性和表现。

该标准涵盖的光电子器件种类可能包括：

• 发光二极管（LED）
• 激光二极管
• 光敏探测器
• 光耦合器
• 其他用于信息传输或处理的光电子产品

不同的产品类型需要根据其具体应用及特点进行相应的检测项目和测试方法的选择。

GB/T 15651.2-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性的基本信息

标准名：半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性

标准号：GB/T 15651.2-2003

标准类别：国家标准(GB)

发布日期：2003-01-01

实施日期：2004-08-01

标准状态：现行

GB/T 15651.2-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性的简介

本部分等同采用IEC60747-5-2：1997《半导体分立器件和集成电器第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》。GB/T15651.2-2003半导体分立器件和集成电路第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性GB/T15651.2-2003

GB/T 15651.2-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性的部分内容

本系列标准的预计结构为：

第5-1部分光电子器件

第5-2部分，光电了器件

基本题定值和特性

测试行法

第5-3部分：光电子器件

GI,T15651.2—2003/1EC 60747-5·2:1997本部分等同采用IEC60/47-5-2，1997单导体分立器件和集成电路第5-2分：光于器件基本新定值和待性以英文版

为了与GB/T11499规定的参数符号统一,木部分样暗电流的符号观定为「ur:为使干使用,木部分作了下编辑性修改，8）“C747的本部介\了样改为“本部分”b）用小数点“，\代替原文中养为小婺点的返号“，”；到除了原文中的前言部分，增加了本标强的前言：d）所有表格增加了表榕顺序号和表题.本部分的附录1为资辉性附录，附录书为规范性附录，本部分由中华人民共和国信总产业部提口：本部分由中国电子技术标准化研究所（心ESI)归。本部分起草单忙：华禹光容股份有限公司半导体厂，本部分主要起悼人陈兰,那仁、王守毕。牛即将出版。

1范围

GR/T15651.2——2003/1EC:60747-5-2,1997半导体分立器件和集成电路

第52部分：光电子器件

基本额定值和特性

本部分给出了下列各类及分类的光电子器件的片本额定值利特性，用了光纤系统或子系统的除外，半导林光电子发射器件，包括：经光极警（LEL

红外发射二极臀(IRFT5)，

激光极音，

·半导体光电接测器件·包括：光电二极管：

光电品体管：

一半仁光教报件。

一内部进行光钢封工作的半导休器件，包括：光电耦含器，

2规范性引用文件

下别文件中内条款通过GB/1156:1的本部分的引同而成为本部分的策款。凡是注口期的引用文件，其随后所有的修改单<不包括勘误的内）或修订象均不适用1本郭分，然而，鼓顾根锯本弹分达战以议的各方研究量告可位用这些文件的展新版本，人是不往口期的引用文件，共最新版本适用于本部分

H/T2123.1—2C5：心电子产品环境试验第2部分，试验方法试验A：低祖（idtEC00682-11990

中工电于产品环境试险第2部分：试验方法试验B，西温（ilIECGB/T2423.2—20C1

60063-2-2,19743

日电工电子产品基本坏境试验规理试验：定强热试验力然（q[EGR/T 2123.A—1983

60068-2-3.1984)

GB/T 2425. 3--F59E

1EC eC065 2-27.19873

电电于产品环境试收第2部分，试监方张“试验和导则，毕击dt电T.心了产品若火危险式验第2部分：试验方法第>篇：针焰试验itGB/T 5169.—189?

IEC.60655-2-2,1991)

GB/T1565:.3—2U03半导体分立器件和集成电路第5-3部分，光电子器件漫试方法（IEC:6074-5 3,1997,IDT

GB8898—2007音频、说频类电子世备安全要c[EC:6(0651992】JFCG5058-2-6：1S95环境试临第2部分：试验试验Fc：振动正弦）1EC60068214：1584环填试验第2都分：岚验诚验N，溢度变化1E60358-2-17.1s94

环境成验

第2部分：试验

第2部分：试验试冷和导刻虚势情坏（12-121谁环）IEC6u53-3-30：19境试验

GB/1:15651.2--2003/IEC.69747-5-2:1997TF.63351:1969产数器件的划量第1部分：准荐基站[E心655-1;1992低系接内设各的绝缘调整第1部好，原喇，要求和试验1E心69717-5-1:19S7牛导体分立基件和类成电路第5-1部分：光电子器件总则3发光益极营(用于光纤系统或子系统的除外)3. 1类型

环意数定或增克额定的发光二极管。3.2半停体材料

种化等，辞化疹学

3.3颜色

3.4外形和封装的性细童料

3.4.1EC和（或）国家标确的外彩图号。3.4.2判装方饮：玻磨/金风/塑料/具他3.4.3引出端认别及引出端与管间任何连报的标记，3.5报限值（龄对录大系统），脉非另有现定，适用整个工作盈度范围3.5.1量低和量高忙存温度（）

3.5.2卡低和最产T.作坏落面度或登完温度（T.或T..）3.5.3展火反间电压（V）.

生，不适月于阳一四，模利以损一阅恢连接的一被答器件、3.5.4在环境温度成管完温度25它时的最大正向直演电流，及降额曲线或降额系数3.5.5适用时，在规定的脉冲条件下，环境温度或克温度为25心时的大正向整值电流（1以）3.6光电性

光电特性见皮1。

对于专合二极管，应给出每个二极肾的特性。对于替殊应用，应规定附加的特件，表1发光二极管的光电神性

上向月币

反向流

活白规定机批输的发光

强医t

快他受时求长

光消射带宽适用附)

并关时间（适月时》

中弹度角适用时）

联非另有性定，

a成----5t

TP规定(进取然计)

V：按现定

，恢规定:点演或床冲】

找规定说取感）

辞值轻射功率的半慎，：安

3.6.+就走

不活月二旧长则极和的及一极店接的系二投借件，h

则关洲既发光尚反的立位角是不可年略的，照应规定立体角的大小，对于川十复合一能管降创的一极管，也应要求录人发完强受，号

3.7补充资料

3.7.1辆射图

GB/115651.2—2003/IEC60747-5-2:1997用极坐标或直角坐标表示的发光强与规角的典型关系图。3.7.2光谱图（适用时）

表示发光强度与鼓长的患型关系用。3，7.3机极说明

适用时，安装和焊接条计。

红外发射二极管（用十光纤系统或子系统的除外）4.1类型

环境额定或管壳额定的红外发射二被性，4.2半导体树料

种化等，

4.3外形和封乾的烊细资料

4.3.11C和（或>国家标准的外形医号：4.3.2封装方法废/金属/料/其他。4.3.3引出端识别及引出端与管走之间任连接的标记。4.4额愿值（跑对尽大系统）,输非易有规定，婚用量个工作温范4.4.1受低和最高存益度（）：

4.4.2最低和最高T作环境耐度变管壳显度（Tm或1.）)，4.4.3量人反向电压（Ve）

4.4.4在环统温率或管充温度为25亿时的量人止向直流鸟流1及降额曲线或降暂系数，4.4,5适用时，在规定的献对条件下，环照退速或肾究退为25℃时的量人所悼值电市（1m）4.5光电特性

光电特性见表2,

对于特殊的应用,应既定附阳的特性。表2红外发射二橙曾的光电特性

4, 5, 6

正电压

反习电瓶

出功车核轴

的辐射强压

峰伍发射被长

光搭辐剂带宽（迈用时）

开关时同（适月时）

半强用角(月时）

月穿（活房式）

亲另有定，

T.. T.. -25

按规定（直流或然市）

Yu据现定

拨规定(真疫率脉斗）

Ir按规觉【直证联脉神】

止频别功界的值，技

4.E,的规定

如采谢试插射强度的立体角是术可忽略的，则应规定立体月的大心，舒9.

GB/T 15651.2--2003/IEC 60747-5-2,19974.6补充资料

4. 6. 1 缩图

用报坐标或直角坐杯表示的拍射痛出功率感和射强世与相对机桃轴关角的典关系图4.6.2光谱图（适用时）

输射龄出动率或射强度与波长的典型关系图4.6.3机燃说明

适用时，安装和辉接条件。

5光电二板管（用于光纤系统吸子系统的除外）5.1类

用于小信号和开关的境额定或资壳额定的此出一吸营，5. 2 导体材料

硅等。

5.3外形和封装的详细资料

5.3.1EC和（或>国家标准的外形图号。5.3.2封袭方法，坡璃/金属/塑剂/其他。5.3.3引出端识别放引出消与管充之间何连接的标5.4极限值（绝对最大系统」，非另有规定：造含整个工作温度范围5.4.！量低利最高忙存温（）

5.4.2最低和展商工作环境温度或管充盟度（T变T），5.4.3最大反向申压V）.

5.4.4通用时：

在环境或管完温度为℃下，展大总耗散功率（P）和25么以上的降额系数（K，要降额曲线5.5电特性

电特性现在3.

表 3 光电二极管的电特性

光照下的反高电忧

光路贝敏度(近用时）

开关时间(道用时1

上开和下降制问

升吋间和关断时间

酸非另有规乏，

T.k T.-2h3

V按规症，E，或E.按境定

V:按规定,F,-0

在超定的高=取T下，

V; 胺能症,f., 一心

V、F核现定，

在提定的想筑与和想定的长

巡定电路

V按规定，，成按热定

符合FF22i-11969的你难光A原射，用色温-\K.K的鹅丝来用或定的单色光期账a

5.6补充资料

5.6.1典亚的录度由线图。

5.6.2典单的光带

表示光培炎敏查与波长关系的图。6光电函体管（用十光纤系统或子系统的除外）6.1类型

GB/T 15651.2—2003/IEC 60747-5-2:1997用于小信号和开关的环晚额定或肾光翻定的光电易体管，6.2半导体材料

硅等。

6.3极性

NPNPNP

6.4外形和封装的详细资料

6.4.1IEC和（或)国家标准的外形图号。6.1.2封装方危：玻璃/金酒/塑料/其他。6.4.3引出确识别及引出端与管完之川并何连接的标记。6.5极限值（绝对最大系统），除非另有规定，适合整个工作盈度范围中.5.1最低和最高吧存温度（T，）6.5.2最低和最高丁作环境温度或管充温度（Tb或T）6.5.3基极电洗为零的最人架电批一发射极电压（Ve）。6.5.4益极有外部连接时；

6.5.4.1发射极电流为的最大率电授一基极电（Vc）。6.5.4.2集电极电流为露的故大发射摄-等极电压（Vrg）。6.5.5基极无外部库接时：

股大发射极一电板压(V）。

6.5.6量大直巢电极电流（J）.

6.5.7适用时，

-环境湿度或管壳湿座为23时量人总耗欣功牢（比）：和25℃以上的降额系数F2盘降韧曲线，B.6电特性

电特性见表4.

来4光电晶体肾的电特性

6, 6, 3

光桌电电真

澳电摄一发射摄略电瓶

荒时极暗电

票电圾

除Ⅱ另有规定，

T.I 成 T.,-ST

V按定，fg=3,H或F

按规定

按规道，in-D,E,0

V控规定一0,F,=0，在

该宠的商温T或工T

Fr激定.I,=G,F—D

Jem或 Ie

GA/T15651.2—2003/TEC 60747.5-2:1997亲

！发射板基慢山学电压

或无落摄连接时路出，

发射摄

梨电极击穿电压

单电损一发助按修和电压

光落况数使（适用时

开关时间（证用用）

上外时间

下降时可

开还时间

文断时间

表4续：

除非与有疑定

Ta或 T.~ 25℃

於规定，，一

优步按6.6.1

一U.E按爆定·规定的期

长和长长

抚定电陷

Ve和,Fr或F,按耗定

Va和F或F换规定

Voaeto

将个TEC60306-1:1262的标准光原A照射，即用包温T-2856.K的将盘灯或用规定的单色光源照射.、流用时，

6.7补充预料

6.7.1典型的灵敏度曲裁国

典型的光谱

表示光踏灵敏度与被长的关系图。光电押合春（带拍出品体竺）

7.1类型

带输出品体管用于信号隔商的环境定或管壳数定的光电合器。7.2半导体材料

摘人二极等：种化察，饺铝等，输出品体管，等。

7.3输出极性

7.4外形和封装的详细摄料

7.4.11EC和（或)国家标准的外形图号。了.4.2势差方法玻/金属/料/其他7.4.3克出尚过制及引出端与管定之间任何逆接的标记。7.5极限但（绝对量大系统）.除事另有规变：适合整个工作温度范围说明们何限制条件，如时间、测中，脉冲宽度、凝壁等。7. 5. 1量低和最高吃存温度(T)。7.5.2最低和展高环境或基带点T作盘度(Tm或1），7.5.3最高归翌度（T%）

虚规定受长焊接时间及臣壳量小距席。7.5.4求大反向输人直流电压（V.）7.5.5基极开路时的地大典电极一发射极电压(Vm）.GB/T15651.2—2003/IEC:60747-5-2;19977.E.6基极有外部津接时，发封役万路时的最大焦电拟一基极电片（Vac）。7.5.7基批有外部连接时，掌电极开路时的最大发射极一墓极电片（V），感7.5.9基报尤外部连接吋，展大发射报一年电极电压（V）。7.5.9大直流随高电压或更样值隔电压（V戒VmM）)。应规定波形和再复率。

7.5.10适用时，量人浪筛满离压（Vox）。应规定具有图：所示液形的两种设性脉冲的最大浪涌隔高电压Yrun

QDVILe

炒一十脉

1CSuec

图1试险电压

最大直筑常业校电流（点）

7.5.12环境或需准点温度为25么时的量人正间直流拍人也说（）及降额曲线或降激系费。7.5.13环境或基准点限度为95时的最人止间峰怕输人也流（1），及规定的脉冲条件，7.5.14环境或基准点祖度为35心时的输出品体管的域大耗效功本（P>，及降额曲线或降粘系数。7.5.15环境或基准点减变为25℃时的器件的量大总耗散功率（P），改降额曲线或降献系数，7.6电特性

电持性见表。

表5光电耦含器的电特性

艳人二投管正电店

物人二极骨及向电商

募电批一发好设话电

集频一数府电活州

第电恢一基热陪电流(适用

除非为有规定，

T* ~25T

[,按规定

V.按规症

1层核现定,Jp=(C.F-U

（版能）

Ven控用定,F=0,Ir—

V技现差，—0，g—C.a

成T控课定

Vs长规定-2.I-D,Tu

或工u按规光

CB/T15651,2—2003/IEC60747-5-2:1997杂

美电极一发射极链和电厅

基报电压（酒用

电能件转比

微分电流偿比《洗用吋）

输出隔高电阻

表5续）

除非列有规定

T...x Ia=25t:

提理享.-0

[r破和V按，P一

Ir微eVee按视定.g=！

预军变规定

Vo按质定

【输人一输出产京）

f=1MHzp-&,-0

并美时间（楚印时）

北大时间

VuelHL改标称T技规定，

下降时间

开通时间

关断时向

截止献享（适用

三工作慎式的件

试验电略按规定

V,I,,R,.及标称Ie获规定，

试验电暗整规定

或和按规定小·

所有输人难应走接别一志，所有前只端应注接到-·起，符

截止数率是在变流电筑传拍化的大小为赖率障非谢任用的交难电说传装比的0.75?倍时的盘低期率，7.7格充强料

饣考虑汁，

有电冲击防护的光电料合

8.1 类型

环原或营壳额定的光电据合器，带.（此处说明输人积（或)输出的钟类”.采用短路或加强绝续设计担供申冲击防护的光电耦合器，本章中含有的所有要求适月于在一种时装中带有固体终等的光电辆合器，光论什么样结构的轻人和（支！输出（如：光电品体管、迎期箱出等）。5.2半导体材料

已.2.1输入（见第7卓戒以后任何章条中提到的)。8.2.2输出（第了卓及以后任似章争中提到的)。B.3外形和封费详翊资料

8、4概定值(在制造商的说明书中察有说明》8.4.1安全性顾定值

a）最高环境温度（了>

3）这大人电流或大输人托地功化：心）些大摘出业殖或屏大摘出功整。8.4.2功能题定值

a）与均装有关的值

-温度（见第7审或以后在何章条宁微到的）。总耗做功率（览第7卓或以后许何章象中提到的），）与输人和糖出有关的

电民（见第了查或以后信何单条中到的），电筛（见第？章或以后任何案条中遥到前），耗放功本，见第7章变以后任何章条中提到的，8. 4. 3赖定隔离电压

）垃人额定两商自（Viuw：

b）人额定重复峰值离压(Vu)(重复的）;e）人奥定脉冲两离电压（Vu

8.5电特性

GB/T 15651.2—2003,1EC 60747-5-2, 1997除第了靠或以后仁何查中新列出的之外，江何情说应想定列特性。8.6电学的，环境的和（或)耐久性试验资料（朴充资料）表S和表7。

表 6 电特性

我面电有（右险A）

隔第电阻

隔高电际（失效条斗）

见GB/T61.2的5.5

In>it* YmTm,Vu-Ec V

失教条件(呢6.4. ,Y=,Vm-V

关于最低要求见止C6069.L,J92.文字符号

孝意中

8.5.1作为量点式验的易部放电试验（方法B，应在任问其他的有关随离持性图量之后进行，在蚁式试验时，能够地加其他预离试验自压，但应在局部放自试验之前进行，何陷离试验电压必须比V机低，GB/T:551.3—2)03的5.5

日.6.2在批控验试的周期内，局邮故电试验（方法A，磁坏性试整>应在一拖样挣本上完成。个生产能定义为采用相同生产线和生产条件在·周内生产的产品数，这些产品可能在试险范内只品有些特殊的垂数不网，每一生产批虚有80只被检验。如果在一周内只生产心早产品，账应与有美礼构联系确定试验样品数。

8.6.3翌式试和周期成验（每12个月）学少应包活列分组亚8,.3.1~8.6.3.5），条件为：一应实现零失效：

如采在13个器件中发生个失效，室采用另外的器件进行发牛失效分划的试验.虚大一失效：

GB/T 15G51.2-2003/1EC 60747-5-2,19978. 6. 3. 1 预处理

依据制造商产品说明书中失效标准，耐煤接热

2605v.5-1s

麦面电荷地

方法B,V-P×VroV>[EC60747-5-1:197,6.4.16.2e)+ta5pC一您数的测试

袋据制道商的规范。

两再电阻

V.-S0U VeTh .R.-10t: 0.

8.6.3.2分组1,20个样品

8. 6. 3. 2. 1 试验

预处划(见9.5. ,1)

猫度快座变化（见IEC60358-2-14,1584）TmnTm，10次惩环，停留时间3h

E60068261995)

每·个座标轴上10次循坏。

#击（见GB/2423.51995)

正弦半被，每个方向3次冲击。

凿封（不适用塑封举件见1EC60068-2-17：1994）压力200kPa，保持时间为.

高温（见G户/T:2423,2—2001）(um.700V),T.1n5.保持时间161，加湿热1EC60068-2-30：1980)

55℃，次循环

温度延存（见CB/2423,1—2001)T.n .2 h.

稳李都热（见GH/T2423,3—1993）85℃.RH：85%保持时21d

日. 6.3. 2.2地些测试,母低阻度然件干1h-~2h，至少在等待6之前进行，表而电药盘（力法A)

F..-1.5(见 IEr 50747--11937+6.4.16.2))95pC:两离电阻

25C,V -50n V,,车1c kV 下,Ra>101。—浪涌试验（见G月AA9R—2C07,14,2.4)。“网离电阻

25C.V.. 500 V, Rm..10* n.

日.6.3.3分组2,30个样品

8.6.3.3.1试验或检验

预处理(见8.6.3,1)。

抢人安全性试验《见附录B)

GB/T15651.2—2003/IFC60747-5-2:1997在失教条件下的极限值：量大输人也流或最大辅人散效率，了一工。，保持2万。8.6.3.3.2最低真的最费测试

表面电商量（力法A）

F.1.251EC60747-5-1:1997.5.4.16.2e>).a5pC隔商电

25C,V=ECC V,K02>10\0.

8.6.3.43分,30个样品

8. 6.3,4. 1试验或检验

预处理(见8.6.3.1)

辅少安全性试整（见附录B）

失效承件下的极展值，最大摘出电演或量人翰出耗功率，T...一T保持72h，日.6.3.4.2最终测(8.6.3.3.2)

8.6.3.54分组：40个样品

8, 6, 3. 5. 1 检验

-一防离电阻,在：

e)Ttw(min.=1m),V-5 V下.R>lctl nb)T.Vm=500VF.Ka>10n

8.6.3.65分组：10十样品

8.6. 3.6.1检睡

外部间膜

外形漏电：

易燃性试验（克CB/T6169.5-1997）表7有电冲击防护的光电竭蛋的试验项目及题序1,节规试验（非破环性

1.1表面电量，在1.87sVm下，(Vu>方法y5pC1.2存数快测按制退育的埋范

2灿伴试（鼓性）=B0.-心

2. 。 外现险验按制退商标准

2. 2对是按然

2 3 央面山药量,布 1. 5 Vy可,(Vu方洪: A qrx2.4

参数检测按例造商的规范

陪高电阻,元8. 6.3.

外部漏电距更及外部,间踪距—,—G商扭下的隔离电图—40.=