电子级缓释剂检测

检测项目

氯离子浓度：采用离子色谱法测定，检出限≤0.05ppm，控制范围0.1~5.0ppm

硫酸根离子残留：电导检测器分析，精度±0.02μg/mL，标准区间＜0.3ppm

总有机碳含量：高温催化氧化法测量，检测范围10ppb~50ppm，误差率＜3%

缓蚀效率：电化学工作站测试，极化曲线法评价，保护效率≥98%

粘度特性：旋转粘度计测定，剪切速率0.1~1000s⁻¹，温度控制±0.1℃

热稳定性：热重分析仪检测，升温速率10℃/min，分解温度＞250℃

金属离子杂质：ICP-MS全谱扫描，包含Na⁺、K⁺、Fe²⁺等23项，检出限0.01ppb

pH值控制：高精度pH计测量，分辨率0.001单位，标准范围6.5~7.5

挥发性有机化合物：GC-MS联用分析，靶向检测35种VOCs，阈值＜100ppb

颗粒物分布：激光粒度分析仪，测量粒径0.1~500μm，允差±0.8%

电导率特性：四电极电导仪，量程0.01μS/cm~100mS/cm，温度补偿±0.5%

缓释动力学：紫外分光光度法监测，时间分辨率1秒，释放曲线拟合度R²＞0.99

检测范围

晶圆制造清洗剂：用于硅片表面金属杂质控制的胺类缓释体系

PCB铜面处理液：包含苯并三氮唑衍生物的微蚀刻保护制剂

半导体封装材料：环氧树脂固化过程中的酸中和型缓释剂

光刻胶添加剂：改善显影均匀性的碱性缓冲组分

电子电镀添加剂：氰化亚铜电镀液的硫脲类缓蚀组分

锂离子电池电解液：高温型碳酸酯基缓释稳定剂

导热界面材料：硅油基缓释型抗氧化剂体系

电子封装胶粘剂：微胶囊化腐蚀抑制剂分散体系

磁控溅射靶材：镀膜工艺用氧含量控制缓释剂

柔性电路板蚀刻液：聚酰亚胺基材专用缓蚀添加剂

晶圆级封装材料：低α粒子放射性的铀钍缓释剂

高纯化学品输送系统：316L不锈钢管线用钝化缓释剂

检测标准

SEMI F73-0308 电子级化学品中氯离子测试规范

ASTM D4327-11 离子色谱法测定水中阴离子标准方法

ISO 16740:2016 工作场所空气中六价铬缓释效能测定

GB/T 33345-2016 电子级水中金属元素分析方法

IEC 60749-21 半导体器件湿热环境缓蚀能力测试

JIS K0557:2018 超纯水总有机碳检测技术规范

GB/T 9724-2007 化学试剂 pH值测定通则

ASTM E2550-11 热重分析仪质量校准标准

IPC TM-650 2.3.28 印制板离子污染检测方法

SEMI C37-0709 电子气体中颗粒物检测指南

ISO 11844-2:2020 金属腐蚀缓释剂实验室评价方法

检测仪器

高分辨电感耦合等离子体质谱仪：检测23种金属杂质，质量分辨率0.025amu，实现ppt级痕量分析

全自动离子色谱系统：配备电导和安培检测器，可同时分离F⁻、Cl⁻、NO₃⁻等12种离子，分离度＞1.5

微流量热重分析仪：称重精度0.1μg，支持0.01~100℃/min程序控温，评估热分解特性

旋转圆盘电极系统：配备PINE WaveDriver控制器，扫描速率0.001~1000V/s，量化缓蚀效率

纳米粒度及Zeta电位仪：采用动态光散射原理，粒径检测范围0.3nm~10μm，温度控制±0.1℃

傅里叶变换红外光谱仪：分辨率0.5cm⁻¹，检测官能团变化，追踪缓释过程化学结构演变

全自动电位滴定仪：滴定精度0.1μL，识别弱酸弱碱缓冲体系的缓释动力学参数

气相色谱-三重四极杆质谱联用仪：MRM模式检测VOCs，检出限达0.01ppb，符合SEMI标准

四探针薄膜电导率测试台：电流范围100nA~100mA，测量半导体级缓释剂导电特性

激光诱导击穿光谱仪：空间分辨率10μm，用于缓释剂涂层元素分布成像分析

检测服务流程

确认测试对象及项目：根据要求确认测试对象并进行初步检查，安排样品寄送或上门采样;

制定与确认实验方案：制定实验方案并与委托方，确认验证方案的可行性和有效性;

签署委托书与支付：签署委托书，明确测试细节，确定测试费用并支付;

执行与监控实验测试：严格按照实验方案执行测试，记录数据，进行必要的控制和调整;

数据分析与出具报告：分析数据并进行归纳，撰写并审核测试报告，出具报告，并反馈结果给委托方。