纯度分析:测量BaTiO₃主含量,通常要求≥99.5%,检测精度达0.01%
晶体结构分析:XRD测定四方相/立方相比例,特征峰2θ=45°±0.2°
粒径分布测试:激光衍射法检测D10/D50/D90值,范围0.1-10μm,分辨率5nm
比表面积测定:BET氮吸附法,测量范围0.01-1000m²/g,精度±3%
介电常数测试:1kHz下测量,典型范围2000-5000,符合±1%重复性
介电损耗检测:频率1MHz时tanδ≤0.02,温度范围-55℃~150℃
居里温度测定:DSC法检测铁电相变点,精度±0.5℃,典型值120-130℃
微量元素分析:ICP-MS检测Na/K/Sr等杂质,检出限0.1ppm
密度测试:阿基米德法测量真密度,范围5.0-6.2g/cm³,精度0.01g/cm³
微观形貌表征:SEM观测晶粒尺寸均匀性,分辨率3nm
铁电性能测试:P-E电滞回线分析,最大场强20kV/cm
热膨胀系数:DIL法测量20-200℃范围CTE值,精度±0.1×10⁻⁶/K
绝缘电阻:DC500V下测量体电阻率≥10¹²Ω·cm
烧结活性:热台显微镜测定收缩起始温度,精度±5℃
MLCC介质材料:多层陶瓷电容器用高纯度钛酸钡粉体检测
PTC热敏电阻:正温度系数热敏元件材料居里点控制检测
压电陶瓷元件:换能器及传感器用压电性能参数测试
微波介质材料:5G通讯器件用低损耗材料介电特性评估
光催化材料:纳米钛酸钡光响应性能及比表面检测
铁电存储器:薄膜材料极化翻转特性测试
电子浆料:厚膜电路用填料粒度分布控制
透明陶瓷:光学窗口材料气孔率及透光率检测
核辐射屏蔽:高密度复合材料组分分析
纳米复合填料:高分子改性增强剂分散性检测
单晶基片:晶体缺陷及取向分析
水处理催化材料:表面活性位点浓度测定
介电涂层:膜厚及附着力性能验证
微波吸收体:复介电常数频率特性测试
ASTM D150-2018 固体电绝缘材料介电常数测试规范
GB/T 5594.3-2015 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法
JIS C2141-2012 铁电陶瓷居里温度测定方法
IEC 61189-5-2006 电子材料介电性能高频测试
GB/T 19587-2017 气体吸附BET法测定固体材料比表面积
ISO 13320-2020 粒度分析激光衍射法通用要求
ASTM E112-2013 晶粒度测定标准方法
ISO 14703-2008 样品制备SEM观测技术规程
GB/T 5071-2013 耐火材料真密度试验方法
IEC 60250-1969 高频下介电参数测量推荐方法
JIS R 1679-2007 细陶瓷粉末粒径分布测定
ASTM E1356-2008 差示扫描量热法相变温度测试
X射线衍射仪:配备高温附件,实现晶相定量分析(精度±0.001°)
激光粒度分析仪:湿法分散测量,粒径范围10nm-3500μm
阻抗分析仪:频率范围1mHz-120MHz,测试介电常数与损耗
场发射扫描电镜:分辨率1nm,搭配EDS分析元素分布
同步热分析仪:同步测定居里温度与热重变化(升温速率0.1-50℃/min)
电感耦合等离子体质谱仪:微量元素检出限达ppt级
全自动比表面分析仪:BET多点法测量,孔径分析范围0.35-500nm
铁电测试系统:最大电压10kV,测试频率0.01-1000Hz
热膨胀仪:温度范围-150℃~1600℃,分辨率0.125nm
高阻计:测量范围10³~10¹⁷Ω,电压0-1000V可调
高温热台显微镜:最大温度1700℃,实时记录烧结收缩过程
原子力显微镜:纳米尺度表面形貌及电畴结构表征
确认测试对象及项目:根据要求确认测试对象并进行初步检查,安排样品寄送或上门采样;
制定与确认实验方案:制定实验方案并与委托方,确认验证方案的可行性和有效性;
签署委托书与支付:签署委托书,明确测试细节,确定测试费用并支付;
执行与监控实验测试:严格按照实验方案执行测试,记录数据,进行必要的控制和调整;
数据分析与出具报告:分析数据并进行归纳,撰写并审核测试报告,出具报告,并反馈结果给委托方。